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专 家 推 荐 书

推荐人姓名 被推荐人姓名

专业技术职务 报 考 院 系

学科（专业） 报考学科专业

工 作 单 位 被推荐人单位

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暨南大学

攻读经济学硕士学位研究生

西方经济学考试大纲

为选拔优秀本科毕业生攻读暨南大学经济学硕士学位研究生，按照“考查基础，公平竞争，择优录取，优质高效”的原则，特制订本考试大纲。

第一部分 考试说明

西方经济学原理，由微观经济学和宏观经济学两部分组成。考试内容覆盖了微观经济学和宏观经济学基础理论的主要部分。

考试目的在于测试申请攻读经济学硕士学位的本科生对经济学的基本概念、基本原理及基本分析工具和分析方法的掌握程度，考查考生是否具备应用基本原理和方法来分析各种经济现象、解决各种问题的能力，是否具备进一步深造的知识储备和潜质。

考试要求达到高等学校优秀本科毕业生的水平，以保证被录取者具有较好的经济学理论基础和科研潜质。

第二部分 考查要点

一 供给和需求的基本原理

1. 供给和需求

2. 市场机制与市场均衡的变动

3. 供给和需求的弹性

4. 政府干预——价格控制的效应

二 消费者行为

1. 消费者选择

2. 个人需求与市场需求

3. 收入效应和替代效应

4. 消费者剩余与网络外部性

三 生产

1. 生产技术

2. 一种可变投入要素(劳动)的生产

3. 两种可变投入要素的生产

4. 规模报酬

四 生产成本

1. 成本的测度：哪些成本重要？

2. 短期成本与长期成本

3. 长期与短期成本曲线

4. 两种产品的生产——范围经济

五 利润最大化和竞争性供给

1. 完全竞争市场

2. 边际收益、边际成本和利润最大化

3. 选择短期产量与竞争性厂商及市场的短期供给曲线

4. 长期产量选择与行业的长期供给曲线

六 竞争性市场分析

1. 竞争性市场的效率

2. 最低价格、价格支持和生产配额

3. 进口配额与关税

4. 征税或补贴的影响

七 市场势力：垄断与买方垄断

1. 垄断势力的来源与社会成本

2. 买方垄断与买方垄断势力

3. 限制市场势力：反托拉斯法

4. 有市场势力的定价

八 垄断竞争和寡头垄断

1. 垄断竞争

2. 寡头垄断

3. 价格竞争

4. 博弈论和竞争策略

九 投入要素市场

1. 竞争性要素市场

2. 竞争性要素市场的均衡

3. 买方垄断势力的要素市场

4. 有垄断势力时的要素市场

十 一般均衡与经济效率

1. 一般均衡分析

2. 交换与生产的效率

3. 信息不对称市场

4. 外部性与公共品

十一 宏观经济数据

1. 国内生产总值：基本概念、核算方法和核算体系

2. 消费者价格指数

3. 失业率

十二 国民收入的来源与分配

1. 长期中国民收入的决定和分配

2. 总需求的构成

3. 产品和劳务市场及可贷资金市场

4. 挤出效应

十三 货币与通货膨胀

1. 货币的概念、特征和货币数量的衡量

2. 货币数量论

3. 货币乘数

4. 通货膨胀的成因和影响

十四 经济增长理论

1. 新古典增长理论

2. 新增长理论

十五 经济波动导论

1. 宏观经济学的时间范畴

2. 总需求

3. 总供给

4. 稳定化政策

十六 IS-LM模型

1. 产品市场与IS曲线

2. 货币市场与LM曲线

3. 产品市场与货币市场的一般均衡

4. IS-LM模型的运用

十七 开放经济的宏观经济均衡

1. 开放经济中的贸易、资本流动和汇率

2. 蒙代尔-弗莱明模型

3. 不同汇率制度下蒙代尔-弗莱明模型的运用

4. 国际利率差别的原因及影响

十八 总供给与菲利普斯曲线

1. 三种总供给曲线

2. 通货膨胀、失业与菲利普斯曲线

十九 宏观经济政策的争论

1. 稳定政策

2. 政府债务

二十 经济学前沿动态与经济热点分析

第三部分 考试形式

一 答卷方式：闭卷，笔试

二 答题时间：180分钟

三 满分150分，分值比例

微观经济学 约50%

宏观经济学 约50%

四 题型比例

选择题 约25%

判断题 约 15%

计算题 约30%

分析题 约20%

其他题型 按需设置

五 参考书目

平狄克、鲁宾费尔德：《微观经济学》（第八版），中国人民大学出版社，2013年6月。

曼昆：《宏观经济学》（第七版），中国人民大学出版社，2011年9月。

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华中科技大学博士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲

（科目代码：2207）

第一部分 考试说明

一、考试性质

全国博士研究生入学考试是为高等学校招收博士研究生而设置的。它的评价标准是高等学校优秀硕士毕业生能达到的及格或及格以上水平，以保证被录取者具有基本的半导体物理基础并有利于在专业上择优选拔。

考试对象为参加当年全国博士研究生入学考试的硕士毕业生，或具有同等学力的在职人员。

二、考试的学科范围

考试内容包括：半导体中的电子状态、半导体中杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、非平衡载流子、pn结、金属和半导体的接触、半导体表面与MIS结构、半导体异质结构、半导体的光学性质和光电与发光现象、半导体的热电性质。

考查要点详见本纲第二部分。

三、评价目标

本课程考试的目的是考察考生对半导体物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基础知识解决电子科学与技术相关问题的能力。

四、考试形式与试卷结构

1答卷方式：闭卷，笔试。

2 答题时间：180分钟。

3 各部分内容的考查比例：满分 100 分

半导体中的电子状态、杂质和缺陷能级 约20%；

半导体中载流子的统计分布、导电性 约30%；

非平衡载流子、p－n结、金属－半导体接触 约30%；

半导体表面与MIS结构、异质结 约10%；

半导体光、电、热特性 约10%。

4 题型比例：

简答题（包括概念、判断题、填空）45%；证明题10%、作图及说明题15%、计算题10%、论述题20%。

第二部分 考查要点

1 半导体中的电子状态

半导体的晶格结构和结合性质；半导体中的电子状态和能带；半导体中电子的运动、有效质量；本征半导体的导电机构、空穴；回旋共振；硅和锗的能带结构；Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体的能带结构；Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构；Si1-xGex合金的能带；宽禁带半导体材料。

2 半导体中杂质和缺陷能级

硅、锗晶体中的杂质能级；Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级；氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级；缺陷、位错能级。

3 半导体中载流子的统计分布

状态密度；费米能级和载流子的统计分布；本征半导体的载流子浓度；杂质半导体的载流子浓度；一般情况下的载流子统计分布；简并半导体；电子占据杂质能级的概率。

4 半导体的导电性

载流子的漂移运动和迁移率；载流子的散射；迁移率与杂质浓度和温度的关系；电阻率及其与杂质浓度和温度的关系；玻耳兹曼方程、电导率的统计理论；强电场下的效应、热载流子；多能谷散射、耿氏效应。

5 非平衡载流子

非平衡载流子的注入与复合；非平衡载流子的寿命；准费米能级；复合理论；陷阱效应；载流子的扩散运动；载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式；连续性方程式；硅的少数载流子寿命与扩散长度。

6 pn结

pn结及其能带图；pn结电流电压特性；pn结电容；pn结击穿；pn结隧道效应。

7 金属和半导体接触

金属半导体接触及其能级图；金属半导体接触整流理论；少数载流子的注入和欧姆接触。

8 半导体表面和MIS结构

表面态；表面电场效应；MIS结构的C–V特性；硅–二氧化硅系统的性质；表面电导及迁移率；表面电场对pn结特性的影响。

9 半导体异质结构

半导体异质结及其能带图；半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性；半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性；半导体应变异质结构；GaN基半导体异质结构；半导体超晶格。

10 半导体的光学性质和光电与发光现象

半导体的光学常数；半导体的光吸收；半导体的光电导；半导体的光生伏特效应；半导体发光；半导体激光；半导体异质结在光电子器件中的应用。

11 半导体的热电性质

热电效应的一般描述；半导体的温差电动势率；半导体的珀耳帖效应；半导体的汤姆逊效应；半导体的热导率；半导体热电效应的应用。

第三部分 考试样题（略）

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